微小重力下におけるシリコンゲルマニウム結晶育成の研究

公開 2020年3月 6日

Hicari-2Study of SiGe crystals

検討中
研究目的 混晶SiGe半導体は、高速電子デバイス、放射線検出素子、遠赤外線カメラ用レンズ等の広範な応用が期待されているが、均一組成化が難しく成長速度が1mm/hr以下と遅いことが実用に向けた弱点であった。本提案では、従来の結晶製造速度(約0.1mm/hr)より100倍高速な10mm/hrの超高速製造技術の確立、未解明の結晶電子物性測定などの実用に向けた課題克服を最終的な目標とする。
期待される利用/研究成果 SiGe結晶は次世代半導体基板材料、赤外線レンズ材料、熱電変換素子、放射線検出器素子として期待されており、有害物を含まないことから環境親和性も高い。本提案の目的達成から高品質で大型SiGe結晶の高速育成が可能になり、次世代の高速・省電力電子デバイス開発、車載赤外線カメラの普及、微小エネルギー利用といった社会課題に大きく貢献する。
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微小重力下におけるシリコンゲルマニウム結晶育成の研究 [ pdf: 491.3 KB] 70422

荒井 康智 ARAI Yasutomo


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