更新 2022年8月 8日
HicariGrowth of Homogeneous SiGe Crystals in Microgravity by the TLZ method
完了
宇宙利用/実験期間 | 2013年 ~ 2014年 | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
研究目的 | この実験では、微小重力環境を利用してTLZ法の有効性を実証することを目的としています。 そして、得られる結果をもとに大型かつ高品質な半導体結晶を地上で育成することに役立てます。 | ||||||
宇宙利用/実験内容 | ISS・「きぼう」内の微小重力環境を利用し、対流の発生を抑制したうえで、今回の実験を行います。本実験では、TLZ法の結晶成長の原理を確認するとともに、この直径方向の温度勾配の影響を評価し、大口径・均一組成の結晶を製造するための基礎的データを取得します。 | ||||||
期待される利用/研究成果 | 今回の宇宙実験で、対流制御とTLZ法を組み合わせることにより、大口径の高品質単結晶が得られれば、高速低消費電力トランジスタの実現に道が開けることになります。それは現在のコンピュータに比べると、処理能力は数倍、消費電力は1/7という高性能コンピュータが可能になることを意味しています。高性能化だけでなく地球環境にやさしい電子素子が実現できる点も注目されます。 | ||||||
成果報告 | |||||||
詳細
関連リンク
|
|||||||
研究論文(Publication)
|